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射频
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MMBD301-TP

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
剪切带（CT）
系列
-
零件状态
有源
二极管类型
肖特基 - 单
电压 - 峰值反向（最大值）
30V
电流 - 最大值
30V
不同Vr，F 时的电容
-
不同If，F 时的电阻
-
功率耗散（最大值）
200mW
工作温度
-55°C ~ 125°C（TJ）
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装
SOT-23
商品其它信息
优势价格，MMBD301-TP的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BA782S-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
射频
RF DIODE PIN 35V SOD323
暂无价格
参考库存:7442
BAT18,235
NXP USA Inc.
射频
RF DIODE STANDARD 35V TO236AB
暂无价格
参考库存:7454
HSMS-2702-TR2G
Broadcom Limited
射频
DIODE SCHOTTKY 15V 250MW SOT23-3
暂无价格
参考库存:7463
HSMS-281C-TR2G
Broadcom Limited
射频
RF DIODE SCHOTTKY 20V SOT323
暂无价格
参考库存:7480
HSMP-3810-TR1G
Broadcom Limited
射频
RF DIODE PIN 100V SOT23-3
暂无价格
参考库存:7485
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