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FET，MOSFET - 单个
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EPC2010C

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
剪切带（CT）
系列
eGaN®
零件状态
有源
FET 类型
N 通道
技术
GaNFET（氮化镓）
漏源电压（Vdss）
200V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
22A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
5V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
25 毫欧 @ 12A，5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 3mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
5.3nC @ 5V
Vgs（最大值）
+6V，-4V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
540pF @ 100V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
-
工作温度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
模具剖面（7 焊条）
封装/外壳
模具
商品其它信息
优势价格，EPC2010C的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FDT3N40TF
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FET，MOSFET - 单个
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FDT458P
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暂无价格
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STD16NF06LT4
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NTR4101PT1G
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MOSFET P-CH 20V 1.8A SOT-23
暂无价格
参考库存:135663
STD2N95K5
STMicroelectronics
FET，MOSFET - 单个
MOSFET N-CH 950V 2A DPAK
暂无价格
参考库存:5667
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