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SI7121ADN-T1-GE3

制造商:Vishay Siliconix
批号:最新
描述:MOSFET P-CH 30V D-S PPAK 1212-8
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参数信息

参数	参数值
包装	剪切带（CT）
系列	TrenchFET®
零件状态	有源
FET 类型	P 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	12A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）	15 毫欧 @ 7A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）	50nC @ 10V
Vgs（最大值）	±25V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	1870pF @ 15V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	3.5W（Ta），27.8W（Tc）
工作温度	-50°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	PowerPAK® 1212-8
封装/外壳	PowerPAK® 1212-8

商品其它信息

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