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FET,MOSFET - 单个
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CSD16321Q5

  • Texas Instruments
  • 最新
  • MOSFET N-CH 25V 100A 8-SON
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带
系列
NexFET™
零件状态
有源
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
25V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
31A(Ta),100A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
3V,8V
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)
2.4 毫欧 @ 25A,8V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
1.4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)
19nC @ 4.5V
Vgs(最大值)
+10V,-8V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
3100pF @ 12.5V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
3.1W(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-VSON-CLIP(5x6)
封装/外壳
8-PowerTDFN
商品其它信息
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