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FET,MOSFET - 单个
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RQ6E060ATTCR

  • Rohm Semiconductor
  • 最新
  • RQ6E060AT IS LOW ON-RESISTANCE M
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
-
零件状态
有源
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
6A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)
26.4mOhm @ 6A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)
25.9nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
1200pF @ 15V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
950mW(Ta)
工作温度
150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
TSMT6(SC-95)
封装/外壳
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
商品其它信息
优势价格,RQ6E060ATTCR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FET,MOSFET - 单个
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