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FET,MOSFET - 单个
IXTA18P10T参考图片

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IXTA18P10T

  • IXYS
  • 最新
  • MOSFET P-CH 100V 18A TO-263
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
TrenchP™
零件状态
有源
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
18A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)
120 毫欧 @ 9A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)
39nC @ 10V
Vgs(最大值)
±15V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
2100pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
83W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
TO-263(IXTA)
封装/外壳
TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
商品其它信息
优势价格,IXTA18P10T的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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