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FET，MOSFET - 单个
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SCT20N120H

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
-
零件状态
有源
FET 类型
N 通道
技术
SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）
1200V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
20A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
20V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
290 毫欧 @ 10A，20V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
3.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
45nC @ 20V
Vgs（最大值）
+25V，-10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
650pF @ 400V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
175W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 200°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
HiP247™
封装/外壳
TO-247-3
商品其它信息
优势价格，SCT20N120H的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
STD16N65M2
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暂无价格
参考库存:10018
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