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FET,MOSFET - 单个
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AOB262L

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
-
零件状态
停產
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
20A(Ta),140A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
6V,10V
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)
2.8 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
3.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)
115nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
9800pF @ 30V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
2.1W(Ta),333W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
TO-263(D²Pak)
封装/外壳
TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
商品其它信息
优势价格,AOB262L的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FET,MOSFET - 单个
POWER MOSFET, 20V, 1A, N-TYPE, S
暂无价格
参考库存:10059
FET,MOSFET - 单个
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FET,MOSFET - 单个
MOSFET P-CH 30V 60A POWERDI5060
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参考库存:10146
FET,MOSFET - 单个
MOSFET P-CH 30V 8.7A PWRDI3333-8
暂无价格
参考库存:10078
FET,MOSFET - 单个
MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333
暂无价格
参考库存:10083
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