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FET，MOSFET - 单个
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FDD8444-F085P

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • NMOS DPAK 40V 5.2 MOHM
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
汽车级，AEC-Q101，PowerTrench®
零件状态
停產
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
40V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
50A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
5.2 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
116nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
6195pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
153W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
TO-252，（D-Pak）
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
商品其它信息
优势价格，FDD8444-F085P的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BUK9608-55B,118
Nexperia USA Inc.
FET，MOSFET - 单个
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
暂无价格
参考库存:6845
IPB120P04P404ATMA1
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MOSFET P-CH TO263-3
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BSZ440N10NS3GATMA1
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MOSFET N-CH 100V 18A TSDSON-8
暂无价格
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IPP90R1K0C3XKSA1
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MOSFET N-CH 900V 5.7A TO-220
暂无价格
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IPA65R310CFDXKSA1
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FET，MOSFET - 单个
MOSFET N-CH 650V 11.4A TO220
暂无价格
参考库存:6875
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