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FET,MOSFET - 单个
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IRFS59N10DPBF

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
HEXFET®
零件状态
Digi-Key 停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
59A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)
25 毫欧 @ 35.4A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
5.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)
114nC @ 10V
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
2450pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
3.8W(Ta),200W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
D2PAK
封装/外壳
TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
商品其它信息
优势价格,IRFS59N10DPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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