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TSM052N06PQ56 RLG

制造商:Taiwan Semiconductor Corporation
批号:最新
描述:MOSFET N-CH 60V 100A 8PDFN
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参数信息

参数	参数值
包装	标准卷带
系列	-
零件状态	停產
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）	5.2 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）	50nC @ 10V
Vgs（最大值）	±25V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	3686pF @ 30V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	83W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	8-PDFN（5x6）
封装/外壳	8-PowerTDFN

商品其它信息

优势价格，TSM052N06PQ56 RLG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

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图片	型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
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