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SIHB28N60EF-GE3

制造商:Vishay Siliconix
批号:最新
描述:MOSFET N-CH 600V 28A D2PAK
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参数信息

参数	参数值
包装	管件
系列	-
零件状态	有源
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	28A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）	123 毫欧 @ 14A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）	120nC @ 10V
Vgs（最大值）	±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	2714pF @ 100V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	250W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	D2PAK
封装/外壳	TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

商品其它信息

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