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FET，MOSFET - 射频
A2I25H060GNR1参考图片

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A2I25H060GNR1

  • NXP USA Inc.
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  • IC TRANS RF LDMOS
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
-
零件状态
有源
晶体管类型
LDMOS（双）
频率
2.59GHz
增益
26.1dB
电压 - 测试
28V
额定电流（安培）
-
噪声系数
-
电流 - 测试
26mA
功率 - 输出
10.5W
电压 - 额定
65V
封装/外壳
TO-270-17 变型，鸥翼
供应商器件封装
TO-270WBG-17
商品其它信息
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