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FET,MOSFET - 射频
MRFX600GSR5参考图片

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MRFX600GSR5

  • NXP USA Inc.
  • 最新
  • TRANS LDMOS 600W 400 MHZ 65V
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
剪切带(CT)
系列
-
零件状态
有源
晶体管类型
LDMOS(双)
频率
1.8MHz ~ 400MHz
增益
26.4dB
电压 - 测试
65V
额定电流(安培)
10µA
噪声系数
-
电流 - 测试
100mA
功率 - 输出
600W
电压 - 额定
179V
封装/外壳
NI-780GS-4L
供应商器件封装
NI-780GS-4L
商品其它信息
优势价格,MRFX600GSR5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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