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FET,MOSFET - 射频
BLF8G10LS-160,112参考图片

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BLF8G10LS-160,112

  • Ampleon USA Inc.
  • 最新
  • RF FET LDMOS 65V 19.7DB SOT502B
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
托盘
系列
-
零件状态
有源
晶体管类型
LDMOS
频率
920MHz ~ 960MHz
增益
19.7dB
电压 - 测试
30V
额定电流(安培)
-
噪声系数
-
电流 - 测试
1.1A
功率 - 输出
35W
电压 - 额定
65V
封装/外壳
SOT-502B
供应商器件封装
SOT502B
商品其它信息
优势价格,BLF8G10LS-160,112的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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