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FET,MOSFET - 射频
NE3515S02-T1D-A参考图片

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NE3515S02-T1D-A

  • CEL
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  • FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
-
零件状态
停產
晶体管类型
HFET
频率
12GHz
增益
12.5dB
电压 - 测试
2V
额定电流(安培)
88mA
噪声系数
0.3dB
电流 - 测试
10mA
功率 - 输出
14dBm
电压 - 额定
4V
封装/外壳
4-SMD,扁平引线
供应商器件封装
S02
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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