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FET，MOSFET - 阵列
SQ3989EV-T1_GE3参考图片

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SQ3989EV-T1_GE3

  • Vishay Siliconix
  • 最新
  • MOSFET 2 P-CH 30V 2.5A 6TSOP
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带
系列
汽车级，AEC-Q101，TrenchFET®
零件状态
有源
FET 类型
2 个 P 沟道（双）
FET 功能
标准
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
2.5A（Tc）
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
155 毫欧 @ 400mA，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
11.1nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
-
功率 - 最大值
1.67W
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
供应商器件封装
6-TSOP
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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