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FET，MOSFET - 阵列
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EPC2110

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  • GANFET 2NCH 120V 3.4A DIE
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
剪切带（CT）
系列
eGaN®
零件状态
有源
FET 类型
2 N 沟道（双）共源
FET 功能
GaNFET（氮化镓）
漏源电压（Vdss）
120V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
3.4A
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
60 毫欧 @ 4A，5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 700µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
0.8nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
80pF @ 60V
功率 - 最大值
-
工作温度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
-40°C ~ 150°C（TJ）
封装/外壳
模具
供应商器件封装
模具
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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