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FET，MOSFET - 阵列
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VT6M1T2CR

  • Rohm Semiconductor
  • 最新
  • MOSFET N/P-CH 20V 0.1A VMT6
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
-
零件状态
有源
FET 类型
N 和 P 沟道
FET 功能
逻辑电平栅极，1.2V 驱动
漏源电压（Vdss）
20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
100mA
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
3.5 欧姆 @ 100mA，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
-
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
7.1pF @ 10V
功率 - 最大值
120mW
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
6-SMD，扁平引线
供应商器件封装
VMT6
商品其它信息
优势价格，VT6M1T2CR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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