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SQJ956EP-T1_GE3

制造商:Vishay Siliconix
批号:最新
描述:MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
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参数信息

参数	参数值
包装	剪切带（CT）
系列	汽车级，AEC-Q101，TrenchFET®
零件状态	有源
FET 类型	2 N-通道（双）
FET 功能	标准
漏源电压（Vdss）	60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	23A（Tc）
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）	26.7 毫欧 @ 5.2A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）	30nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	1395pF @ 30V
功率 - 最大值	34W
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
封装/外壳	PowerPAK® SO-8 双
供应商器件封装	PowerPAK® SO-8 双

商品其它信息

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