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FET，MOSFET - 阵列
PMCPB5530X,115参考图片

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PMCPB5530X,115

  • Nexperia USA Inc.
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  • MOSFET N/P-CH 20V 6HUSON
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
-
零件状态
有源
FET 类型
N 和 P 沟道
FET 功能
-
漏源电压（Vdss）
20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
4A（Ta），3.4A（Ta）
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
34 毫欧 @ 3A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
900mV @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
21.7nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
660pF @ 10V
功率 - 最大值
490mW
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
6-UDFN 裸露焊盘
供应商器件封装
6-HUSON-EP（2x2）
商品其它信息
优势价格，PMCPB5530X,115的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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