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FET，MOSFET - 阵列
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IPG20N10S4L35AATMA1

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
汽车级，AEC-Q101，OptiMOS™
零件状态
有源
FET 类型
2 N-通道（双）
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
20A
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
35 毫欧 @ 17A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.1V @ 16µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
17.4nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1105pF @ 25V
功率 - 最大值
43W
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装，可润湿侧翼
封装/外壳
8-PowerVDFN
供应商器件封装
PG-TDSON-8-10
商品其它信息
优势价格，IPG20N10S4L35AATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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