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FET，MOSFET - 阵列
SIZ720DT-T1-GE3参考图片

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SIZ720DT-T1-GE3

  • Vishay Siliconix
  • 最新
  • MOSFET 2N-CH 20V 16A POWERPAIR
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
TrenchFET®
零件状态
有源
FET 类型
2 个 N 通道（半桥）
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
16A
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
8.7 毫欧 @ 16.8A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
23nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
825pF @ 10V
功率 - 最大值
27W，48W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
6-PowerPair™
供应商器件封装
6-PowerPair™
商品其它信息
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