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FET,MOSFET - 阵列

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APTM100H35FT3G

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
散装
系列
-
零件状态
有源
FET 类型
4 个 N 通道(H 桥)
FET 功能
标准
漏源电压(Vdss)
1000V(1kV)
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
22A
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)
420 毫欧 @ 11A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
5V @ 2.5mA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)
186nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
5200pF @ 25V
功率 - 最大值
390W
工作温度
-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
底座安装
封装/外壳
SP3
供应商器件封装
SP3
商品其它信息
优势价格,APTM100H35FT3G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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