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IRF7343TRPBF

制造商:Infineon Technologies
批号:最新
描述:MOSFET N/P-CH 55V 8-SOIC
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参数信息

参数	参数值
包装	标准卷带
系列	HEXFET®
零件状态	有源
FET 类型	N 和 P 沟道
FET 功能	标准
漏源电压（Vdss）	55V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	4.7A，3.4A
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）	50 毫欧 @ 4.7A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）	36nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	740pF @ 25V
功率 - 最大值	2W
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
封装/外壳	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装	8-SO

商品其它信息

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