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FET，MOSFET - 阵列

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DMNH6035SPDW-13

制造商:Diodes Incorporated
批号:最新
描述:MOSFET BVDSS: 41V-60V POWERDI506
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参数信息

参数	参数值
包装	标准卷带
系列	-
零件状态	有源
FET 类型	2 N-通道（双）
FET 功能	标准
漏源电压（Vdss）	60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	33A（Tc）
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）	35 毫欧 @ 15A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）	16nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	879pF @ 25V
功率 - 最大值	2.4W（Ta），68W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
封装/外壳	8-PowerTDFN
供应商器件封装	PowerDI5060-8（R 类）

商品其它信息

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