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FET，MOSFET - 阵列
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NTLJD4116NT1G

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • MOSFET 2N-CH 30V 2.5A 6-WDFN
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
-
零件状态
停產
FET 类型
2 N-通道（双）
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
2.5A
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
70 毫欧 @ 2A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
6.5nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
427pF @ 15V
功率 - 最大值
710mW
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
6-WDFN 裸露焊盘
供应商器件封装
6-WDFN（2x2）
商品其它信息
优势价格，NTLJD4116NT1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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