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SI7983DP-T1-E3

制造商:Vishay Siliconix
批号:最新
描述:MOSFET 2P-CH 20V 7.7A PPAK SO-8
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参数信息

参数	参数值
包装	标准卷带
系列	TrenchFET®
零件状态	停產
FET 类型	2 个 P 沟道（双）
FET 功能	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）	20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	7.7A
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）	17 毫欧 @ 12A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	1V @ 600µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）	74nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	-
功率 - 最大值	1.4W
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
封装/外壳	PowerPAK® SO-8 双
供应商器件封装	PowerPAK® SO-8 双

商品其它信息

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