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FET，MOSFET - 阵列
SI5915BDC-T1-E3参考图片

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SI5915BDC-T1-E3

  • Vishay Siliconix
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  • MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
TrenchFET®
零件状态
停產
FET 类型
2 个 P 沟道（双）
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
8V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
4A
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
70 毫欧 @ 3.3A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
14nC @ 8V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
420pF @ 4V
功率 - 最大值
3.1W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-SMD，扁平引线
供应商器件封装
1206-8 ChipFET™
商品其它信息
优势价格，SI5915BDC-T1-E3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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