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IGBT - 模块

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BSM100GB120DN2HOSA1

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
托盘
系列
-
零件状态
不適用於新設計
IGBT 类型
-
配置
半桥
电压 - 集射极击穿（最大值）
1200V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
150A
功率 - 最大值
800W
不同Vge，Ic 时的Vce（on）
3V @ 15V，100A
电流 - 集电极截止（最大值）
2mA
不同Vce 时的输入电容（Cies）
6.5nF @ 25V
输入
标准
NTC 热敏电阻
无
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
底座安装
封装/外壳
模块
供应商器件封装
模块
商品其它信息
优势价格，BSM100GB120DN2HOSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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