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IGBT - 模块

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VS-GT50TP120N

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
散装
系列
-
零件状态
停產
IGBT 类型
沟道
配置
半桥
电压 - 集射极击穿(最大值)
1200V
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
100A
功率 - 最大值
405W
不同Vge,Ic 时的Vce(on)
2.35V @ 15V,50A
电流 - 集电极截止(最大值)
5mA
不同Vce 时的输入电容(Cies)
6.24nF @ 30V
输入
标准
NTC 热敏电阻
工作温度
175°C(TJ)
安装类型
底座安装
封装/外壳
INT-A-PAK(3 + 4)
供应商器件封装
INT-A-PAK
商品其它信息
优势价格,VS-GT50TP120N的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IGBT - 模块
IGBT MODULE 650V 40A 156W F2
暂无价格
参考库存:5929
IGBT - 模块
IGBT MODULE 650V 75A 250W
暂无价格
参考库存:8566
IGBT - 模块
IGBT MOD 1700V 1600A 1050W
暂无价格
参考库存:8571
IGBT - 模块
IGBT MODULE 1200V 75A 270W SP3
暂无价格
参考库存:8576
IGBT - 模块
IGBT MODULE 600V 50A 250W SP3
暂无价格
参考库存:8581
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