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RGT8BM65DTL

制造商:Rohm Semiconductor
批号:最新
描述:IGBT 650V 8A 62W TO-252
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参数信息

参数	参数值
包装	剪切带（CT）
系列	-
零件状态	有源
IGBT 类型	沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）	650V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）	8A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)	12A
不同Vge，Ic 时的Vce（on）	2.1V @ 15V，4A
功率 - 最大值	62W
开关能量	-
输入类型	标准
栅极电荷	13.5nC
25°C 时 Td（开/关）值	17ns/69ns
测试条件	400V，4A，50欧姆，15V
反向恢复时间（trr）	40ns
工作温度	-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
封装/外壳	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装	TO-252

商品其它信息

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