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UGBT、MOSFET - 单
HGTG30N60C3D参考图片

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HGTG30N60C3D

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • IGBT 600V 63A 208W TO247
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
-
零件状态
不適用於新設計
IGBT 类型
-
电压 - 集射极击穿(最大值)
600V
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
63A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
252A
不同Vge,Ic 时的Vce(on)
1.8V @ 15V,30A
功率 - 最大值
208W
开关能量
1.05mJ(开),2.5mJ(关)
输入类型
标准
栅极电荷
162nC
25°C 时 Td(开/关)值
-
测试条件
-
反向恢复时间(trr)
60ns
工作温度
-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3
供应商器件封装
TO-247-3
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
UGBT、MOSFET - 单
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