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UGBT、MOSFET - 单
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IXYH100N65A3

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
XPT™，GenX3™
零件状态
有源
IGBT 类型
-
电压 - 集射极击穿（最大值）
650V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
240A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
480A
不同Vge，Ic 时的Vce（on）
1.8V @ 15V，70A
功率 - 最大值
470W
开关能量
3.15mJ（开），2.2mJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
178nC
25°C 时 Td（开/关）值
24ns/174ns
测试条件
400V，50A，2 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）
64ns
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3
供应商器件封装
TO-247
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IRGP30B120KD-EP
Infineon Technologies
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暂无价格
参考库存:3880
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