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UGBT、MOSFET - 单
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APT75GP120B2G

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
POWER MOS 7®
零件状态
有源
IGBT 类型
PT
电压 - 集射极击穿（最大值）
1200V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
100A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
300A
不同Vge，Ic 时的Vce（on）
3.9V @ 15V，75A
功率 - 最大值
1042W
开关能量
1620µJ（开），2500µJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
320nC
25°C 时 Td（开/关）值
20ns/163ns
测试条件
600V，75A，5 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）
600V，75A，5 欧姆，15V
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3 变式
供应商器件封装
TO-247-3 变式
商品其它信息
优势价格，APT75GP120B2G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FGP10N60UNDF
ON Semiconductor
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IGBT 600V 20A 139W TO220-3
暂无价格
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IXYH50N65C3
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IGBT 650V 130A 600W TO247
暂无价格
参考库存:1812
IKA10N60TXKSA1
Infineon Technologies
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IGBT 600V 11.7A 30W TO220-3
暂无价格
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IXGT32N170
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IGBT 1700V 75A 350W TO268
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IXBT6N170
IXYS
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IGBT 1700V 12A 75W TO268
暂无价格
参考库存:2813
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