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UGBT、MOSFET - 单
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FGD3N60UNDF

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • IGBT 600V 6A 60W DPAK
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
剪切带（CT）
系列
-
零件状态
有源
IGBT 类型
NPT
电压 - 集射极击穿（最大值）
600V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
6A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
9A
不同Vge，Ic 时的Vce（on）
2.52V @ 15V，3A
功率 - 最大值
60W
开关能量
52µJ（开），30µJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
1.6nC
25°C 时 Td（开/关）值
5.5ns/22ns
测试条件
400V，3A，10 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）
21ns
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装
TO-252，（D-Pak）
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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