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NGTB40N120FL2WG

制造商:ON Semiconductor
批号:最新
描述:IGBT 1200V 80A 535W TO247
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参数信息

参数	参数值
包装	管件
系列	-
零件状态	有源
IGBT 类型	沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）	1200V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）	80A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)	200A
不同Vge，Ic 时的Vce（on）	2.4V @ 15V，40A
功率 - 最大值	535W
开关能量	3.4mJ（开），1.1mJ（关）
输入类型	标准
栅极电荷	313nC
25°C 时 Td（开/关）值	116ns/286ns
测试条件	600V，40A，10 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）	240ns
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型	通孔
封装/外壳	TO-247-3
供应商器件封装	TO-247

商品其它信息

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