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UGBT、MOSFET - 单

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IXXH80N65B4D1

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
XPT™，GenX4™
零件状态
有源
IGBT 类型
PT
电压 - 集射极击穿（最大值）
650V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
180A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
430A
不同Vge，Ic 时的Vce（on）
2.1V @ 15V，80A
功率 - 最大值
625W
开关能量
3.36mJ（开），1.83mJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
120nC
25°C 时 Td（开/关）值
26ns/112ns
测试条件
400V，80A，3 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）
100ns
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3
供应商器件封装
-
商品其它信息
优势价格，IXXH80N65B4D1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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