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UGBT、MOSFET - 单
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APT80GA60LD40

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
POWER MOS 8™
零件状态
有源
IGBT 类型
PT
电压 - 集射极击穿（最大值）
600V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
143A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
240A
不同Vge，Ic 时的Vce（on）
2.5V @ 15V，47A
功率 - 最大值
625W
开关能量
840µJ（开），751µJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
230nC
25°C 时 Td（开/关）值
23ns/158ns
测试条件
400V，47A，4.7 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）
22ns
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-264-3，TO-264AA
供应商器件封装
TO-264
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
APT80GA90LD40
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