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UGBT、MOSFET - 单
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RJH60D7DPK-00#T0

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
-
零件状态
有源
IGBT 类型
沟道
电压 - 集射极击穿（最大值）
600V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
90A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
90A
不同Vge，Ic 时的Vce（on）
2.2V @ 15V，50A
功率 - 最大值
300W
开关能量
1.1mJ（开），600µJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
130nC
25°C 时 Td（开/关）值
60ns/190ns
测试条件
300V，50A，5 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）
100ns
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-3P-3，SC-65-3
供应商器件封装
TO-3P
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IGW75N60TFKSA1
Infineon Technologies
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