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UGBT、MOSFET - 单
IXGN200N170参考图片

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IXGN200N170

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
-
零件状态
有源
IGBT 类型
-
电压 - 集射极击穿（最大值）
1700V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
280A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
1050A
不同Vge，Ic 时的Vce（on）
2.6V @ 15V，100A
功率 - 最大值
1250W
开关能量
28mJ（开），30mJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
540nC
25°C 时 Td（开/关）值
37ns/320ns
测试条件
850V，100A，1 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）
133ns
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
底座安装
封装/外壳
SOT-227-4，miniBLOC
供应商器件封装
SOT-227B
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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