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UGBT、MOSFET - 单
IXXA30N65C3HV参考图片

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IXXA30N65C3HV

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参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
XPT™,GenX3™
零件状态
有源
IGBT 类型
-
电压 - 集射极击穿(最大值)
650V
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
52A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
113A
不同Vge,Ic 时的Vce(on)
2.2V @ 15V,24A
功率 - 最大值
230W
开关能量
500µJ(开),450µJ(关)
输入类型
标准
栅极电荷
37nC
25°C 时 Td(开/关)值
33ns/125ns
测试条件
400V,24A,10 欧姆,15V
反向恢复时间(trr)
33ns
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
供应商器件封装
TO-263HV
商品其它信息
优势价格,IXXA30N65C3HV的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
UGBT、MOSFET - 单
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