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UGBT、MOSFET - 单
FGPF30N30TDTU参考图片

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FGPF30N30TDTU

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • IGBT 300V 44.6W TO220F
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
-
零件状态
停產
IGBT 类型
沟道
电压 - 集射极击穿(最大值)
300V
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
300V
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
80A
不同Vge,Ic 时的Vce(on)
1.5V @ 15V,10A
功率 - 最大值
44.6W
开关能量
-
输入类型
标准
栅极电荷
65nC
25°C 时 Td(开/关)值
22ns/130ns
测试条件
200V,20A,20 欧姆,15V
反向恢复时间(trr)
22ns
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3 整包
供应商器件封装
TO-220F
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
UGBT、MOSFET - 单
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