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UGBT、MOSFET - 单
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SGH30N60RUFTU

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • IGBT 600V 48A 235W TO3P
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
-
零件状态
停產
IGBT 类型
-
电压 - 集射极击穿（最大值）
600V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
48A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
90A
不同Vge，Ic 时的Vce（on）
2.8V @ 15V，30A
功率 - 最大值
235W
开关能量
919µJ（开），814µJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
85nC
25°C 时 Td（开/关）值
30ns/54ns
测试条件
300V，30A，7 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）
300V，30A，7 欧姆，15V
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-3P-3，SC-65-3
供应商器件封装
TO-3PN
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NGTB60N60SWG
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