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FGA15N120ANTDTU

制造商:ON Semiconductor
批号:最新
描述:IGBT 1200V 30A 186W TO3P
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参数信息

参数	参数值
包装	管件
系列	-
零件状态	停產
IGBT 类型	NPT 和沟道
电压 - 集射极击穿（最大值）	1200V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）	30A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)	45A
不同Vge，Ic 时的Vce（on）	2.4V @ 15V，15A
功率 - 最大值	186W
开关能量	3mJ（开），600µJ（关）
输入类型	标准
栅极电荷	120nC
25°C 时 Td（开/关）值	15ns/160ns
测试条件	600V，15A，10 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）	330ns
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	通孔
封装/外壳	TO-3P-3，SC-65-3
供应商器件封装	TO-3P

商品其它信息

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