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UGBT、MOSFET - 单
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SGH23N60UFDTU

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • IGBT 600V 23A 100W TO3P
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
-
零件状态
停產
IGBT 类型
-
电压 - 集射极击穿（最大值）
600V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
23A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
92A
不同Vge，Ic 时的Vce（on）
2.6V @ 15V，12A
功率 - 最大值
100W
开关能量
115µJ（开），135µJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
49nC
25°C 时 Td（开/关）值
17ns/60ns
测试条件
300V，12A，23 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）
60ns
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-3P-3，SC-65-3
供应商器件封装
TO-3PN
商品其它信息
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暂无价格
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