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双极性晶体管（BJT）- 阵列
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EMT1FHAT2R

  • Rohm Semiconductor
  • 最新
  • PNP+PNP GENERAL PURPOSE AMPLIFIC
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
汽车级，AEC-Q101
零件状态
有源
晶体管类型
2 PNP（双）
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
150mA
电压 - 集射极击穿（最大值）
50V
不同Ib，Ic 时的Vce 饱和值（最大值）
500mV @ 5mA，50mA
电流 - 集电极截止（最大值）
100nA（ICBO）
不同Ic，Vce时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
120 @ 1mA，6V
功率 - 最大值
150mW
频率 - 跃迁
140MHz
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
SOT-563，SOT-666
供应商器件封装
EMT6
商品其它信息
优势价格，EMT1FHAT2R的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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