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双极性晶体管（BJT）- 阵列

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HN1C01FU-Y,LF

制造商:Toshiba Semiconductor and Storage
批号:最新
描述:NPN + NPN IND. TRANSISTOR VCEO50
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参数信息

参数	参数值
包装	标准卷带
系列	-
零件状态	有源
晶体管类型	2 NPN（双）
电流 - 集电极（Ic）（最大值）	150mA
电压 - 集射极击穿（最大值）	50V
不同Ib，Ic 时的Vce 饱和值（最大值）	250mV @ 10mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）	100nA（ICBO）
不同Ic，Vce时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	120 @ 2mA，6V
功率 - 最大值	200mW
频率 - 跃迁	80MHz
工作温度	125°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
封装/外壳	6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装	US6

商品其它信息

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图片	型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
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