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双极性晶体管(BJT)- 阵列
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UMB10NFHATN

  • Rohm Semiconductor
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  • PNP+PNP DIGITAL TRANSISTOR (CORR
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
剪切带(CT)
系列
汽车级,AEC-Q101
零件状态
有源
晶体管类型
2 PNP 预偏压(双)
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
-
不同Ib,Ic 时的Vce 饱和值(最大值)
300mV @ 250µA,5mA
电流 - 集电极截止(最大值)
-
不同Ic,Vce时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
80 @ 10mA,5V
功率 - 最大值
150mW
频率 - 跃迁
250MHz
工作温度
150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装
UMT6
商品其它信息
优势价格,UMB10NFHATN的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
双极性晶体管(BJT)- 阵列
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双极性晶体管(BJT)- 阵列
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双极性晶体管(BJT)- 阵列
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