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双极性晶体管（BJT）- 阵列
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UMZ8NTR

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
-
零件状态
不適用於新設計
晶体管类型
NPN，PNP
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
150mA，500mA
电压 - 集射极击穿（最大值）
50V，12V
不同Ib，Ic 时的Vce 饱和值（最大值）
400mV @ 5mA，50mA / 250mV @ 10mA，200mA
电流 - 集电极截止（最大值）
100nA（ICBO）
不同Ic，Vce时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
120 @ 1mA，6V / 270 @ 10mA，2V
功率 - 最大值
150mW
频率 - 跃迁
180MHz，260MHz
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装
UMT6
商品其它信息
优势价格，UMZ8NTR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
ZDT717TA
Diodes Incorporated
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